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ONSEMI/安森美集成电路 |
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NUP4202W1T2G
NUP4202W1浪涌保护器设计用于保护高速数据线免受 ESD、EFT 和雷击的影响。
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
ADP3415LRM-REEL
CAT9532HV6I-GT2
FAN3122CMX-F085
FAN3214TMX-F085
FAN3223CMX-F085
FAN3224CMX-F085
ON/安森美全系只做原装,我们承诺每一片芯片均来自原厂。更多信息请咨询!
NCV3063MNTXG
该降压-升压反相开关稳压器由内部温度补偿基准、比较器、带有源电流限制电路的受控占空比振荡器、驱动器和高电流输出开关组成。新功能包括内部热关断保护和逐周期电流限制。该系列设计用于降压(降压)和升压(升压)以及电压反相应用,只需少的外部元件。该NCV3063可用于汽车应用。ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
FAN3225TMX-F085
FAN3229TMX-F085
FDB8442-F085-FS
FDP030N06B-F102
FGD3040G2-F085V
FODM3052V-NF098
FQPF18N50V2SDTU
FSTUD32450GX_NL
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UC3843BVD1R2G简述:
UC3842B UC3843B系列是固定频率电流模式控制器。
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
NCP718BMT330TBG
NCV1060BD060R2G
NCV4275ADS50R4G
NCV4276BDT33RKG
NCV4276CDT33RKG
NCV47821PAAJR2G
NCV51460SN33T1G
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NCP4318BLCDR2G:
NCP4318是一种混合模式,它使用瞬时漏极电压和先前死区时间信息,用于LLC谐振转换器的同步整流(SR)控制器,只需少的外部元件。自适应死区时间控制可补偿感应寄生电感电压,以大限度地提高SR MOSFET导通和效率。多级关断阈值控制和 SR 电流反转检测功能可防止快速负载瞬变期间的反转电流,并允许在整个负载范围内稳定地 SR 操作。此外,为了提高轻载效率,VGATE自适应地从10V降至6V/5V。ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
NCV8560SNADJT1G
NCV8606MNADJT2G
NCV8664CST33T3G
NCV8664CST33T3G
NCV8664CST50T3G
NCV8774CDT50RKG
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FSUSB42MUX
FSUSB42是一款双向、低功耗、双端口、高速USB2.0开关。配置为双刀双掷开关 (DPDT) 开关,针对在两个高速 (480Mbps) 源或高速和全速 (12Mbps) 源之间切换进行了优化。该FSUSB42兼容 USB2.0 的要求,并具有极低的导通电容 (C上)为5.5pF。该器件的宽带宽(720MHz)超过了通过三次谐波所需的带宽,从而使信号具有小的边沿和相位失真。出色的通道间串扰也大限度地减少了干扰。该FSUSB42在开关 I/O 引脚上包含特殊电路,用于 V抄送电源断电(V抄送=0),允许器件承受过压条件。该器件旨在将电流消耗降至低,即使施加到 SEL 引脚的控制电压低于电源电压 (V抄送).此功能对于超便携应用(如手机)特别有价值,允许与基带处理器的通用 I/O 直接连接。其他应用包括便携式手机、PDA、数码相机、打印机和笔记本电脑中的开关和连接器共享。
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
2SA2210-EPN-1E
2SC6082-EPN-1E
2SJ653-CB11-ON
74ACT16373SSCX
74LCX16240MTDX
74LCX16821MTDX
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MM74HC08简述:
MXMM74HC08 AND门采用的硅栅CMOS技术,可实现与LS-TTL门相似的工作速度,并具有标准CMOS集成电路的低功耗。HC08 具有缓冲输出,提供高抗噪性,并能够驱动 10 个 LS-TTL 负载。74HC 逻辑系列在功能和引脚排列上与标准 74LS 逻辑系列兼容。所有输入均受到内部二极管箝位的保护,不会因静电放电而损坏至 V抄送和地面。
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
74VCX163245MTD
74VCX164245MTD
74VCX16821MTDX
74VCX16838MTDX
74VCX16839MTDX
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