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SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不60V，高仅约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用快速恢复外延二极管（FRED）和超快速恢复二极管（UFRD）。UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等领域用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS，由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使SMPS体积和重量增加，不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此，发展100V以上的高压SBD，一直是人们研究的课题和关注的热点。近几年，SBD已取得了突破性的进展，150V和200V的高压SBD已经上市，使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制成功，从而为其应用注入了新的生机与活力。
肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。
肖特基二极管的特之处在于其快速的反向恢复时间，可在几纳秒的范围内。同时，它的正向电流也能达到儿千安培，具备大电流、低功耗、速等特性。相较于传统PN结二极管，肖特基二极管的正向压降（UDF）只有后者的一半至三分之一，trr（反向恢复时间）约为10纳秒，使其在特定应用中表现出色。
肖特基二极管的优点：器件本身具有很高的开关频率，而且它的反向击穿电压比较的低。同时因为技术的不断改进，对新型材料的使用，使得肖特基二极管本身充满了生机以及很强的竞争力。
SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
面结合型管采用平面工艺性能稳定,一致性好,不易损坏。图中给出一种面结合型二极管的结构图和等效电路。从中可以看出各部分的结构尺寸量级。通常这种管芯要进行封装才能方便地使用。肖特基势垒二极管的典型封装结构可采用“炮弹”式、微带式、SOT贴片式等。
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主要产品有LowVF肖特基、碳化硅、氮化镓、FRED超快恢复二极管、高压双向触发二极管、大功率稳压二极管、可控硅、TVS瞬态抑制管、合金软桥。各种封装包括：DO系列、17-02。贴 片系列有SMA、SMAF、SMB、SMBF、SMC、S8M、TO-277B、ABS、MSB、DB、HBS、YBS。PDFN5*6-8L、TO-251、TO-252、TO-220、TO-262、TO-263、TO-247。整流桥GBP、KBP、D3K、GBU、GBJ、KBL、系列等。产品广泛用于交通、通讯，电脑、家用电器、玩具等数码电子产品等多个领域。
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