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碳化硅肖特基二极管 |
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SiC MOSFET 的比导通电阻很低，工作频率很高，在高温下能够稳定的工作，它在功率器件领域很有应用前景。目前国际上报道的几种结构：UMOS、VDMOS、LDMOS、UMOS ACCUFET，以及 SIAFET 等。2008 年报道的双 RESURF 结构LDMOS，具有 1550 V 阻断电压.
金属与半导体的功函数不同，电荷越过金属/半导体界面迁移，产生界面电场，半导体表面的能带发生弯曲，从而形成肖特基势垒，这就是肖特基接触。金属与半导体接触形成的整流特性有两种形式，一种是金属与 N 型半导体接触，且 N 型半导体的功函数小于金属的功函数；另一种是金属与 P 型半导体接触，且 P 型半导体的功函数大于金属的功函数。
金属与 N 型 4H-SiC 半导体体内含有大量的导电载流子。金属与 4H-SiC 半导体材料的接触仅有原子大小的数量级间距时，4H-SiC 半导体的费米能级大于金属的费米能级。此时 N 型 4H-SiC 半导体内部的电子浓度大于金属内部的电子浓度，两者接触后，导电载流子会从 N 型 4H-SiC 半导体迁移到金属内部，从而使 4H-SiC 带正电荷，而金属带负电荷。电子从 4H-SiC 向金属迁移，在金属与 4H-SiC 半导体的界面处形成空间电荷区和自建电场，并且耗尽区只落在 N 型 4H-SiC 半导体一侧，在此范围内的电阻较大，一般称作“阻挡层”。自建电场方向由 N 型 4H-SiC 内部指向金属，因为热电子发射引起的自建场增大，导致载流子的扩散运动与反向的漂移运动达到一个静态平衡，在金属与4H-SiC 交界面处形成一个表面势垒，称作肖特基势垒。4H-SiC 肖特基二极管就是依据这种原理制成的。
碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，比传统的硅基器件具有更的性能。碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(49W/mK)使功率半导体器件效率更高，运行速度更快，能够有效降低产品成本、体积及重量。
用碳化硅肖特基二极管替换快速PN 结的快速恢复二极管（FRD)，能够明显减少恢复损耗，有利于开关电源的高频化，减小电感、变压器等被动元件的体积，使开关电源小型化，并降低产品噪音。
肖特基二极管，又称热载流子二极管，通过金属和半导体接触(肖特基接触)形成肖特基势垒，实现整流。与普通PN结二极管相比，肖特基二极管的反向恢复惯性非常低。因此，肖特基二极管适用于高频整流或高速开关。
| 主营行业：齐纳二极管 |
| 公司主营：高压触发二极管,合金软桥,Low 肖特基二极管,可控硅 |
| 主营地区：中国 |
| 企业类型：有限责任公司 |
| 注册资金：人民币1000万 |
| 公司成立时间：2007-12-13 |
| 员工人数：51 - 100 人 |
| 研发部门人数：11 - 50 人 |
| 经营模式：生产型 |
| 最近年检时间：2024年 |
| 经营范围：电力电子元器件的技术研发、设计、生产;碳化硅芯片及电子产品的技术咨询服务及技术转让;销售:各高科技新型电子元器件、集成电器、家用电器、仪器仪表、电容器、电阻器、高压电源器、变压器、新能源汽车充电桩、机电自动化设备、自动化设备标准件、汽车电子配件、五金气动配件、建筑机械及配件、通讯设备及配件、环保设备及产品、过滤设备及材料、绝缘材料、防静电产品、塑料制品、橡胶制品;智能家居室内外装饰工程设计、承接照明安装工程、室内水电安装服务;货物及技术进出口。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动) |
| 是否提供OEM：是 |
| 公司邮编：523000 |
| 公司电话：0769-22302199 |
| 公司传真：0769-23158049 |
| 公司邮箱：jiaxundz@qq.com |
| 公司网站：http://www.jiaxundz.com/ |
