关键词 |
马碳化硅肖特基二极管,马碳化硅肖特基二极管,马碳化硅肖特基二极管,马碳化硅肖特基二极管 |
面向地区 |
金属与半导体接触时，载流子流经肖特基势垒形成的电流主要有四种输运途径。这四种输运方式为：
1、N 型 4H-SiC 半导体导带中的载流子电子越过势垒顶部热发射到金属；
2、N 型 4H-SiC 半导体导带中的载流子电子以量子力学隧穿效应进入金属；
3、空间电荷区中空穴和电子的复合；
4、4H-SiC 半导体与金属由于空穴注入效应导致的的中性区复合。
碳化硅（SiC）是一种的半导体材料，基于SiC的肖特基二极管（SiC Schottky Diode）具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性，可以在电力电子技术领域打破硅的极限，成为新能源及电力电子的器件。
碳化硅的能带间隔为硅的2.8倍（宽禁带），达到3.09电子伏特。其绝缘击穿场强为硅的5.3倍，高达3.2MV/cm，其导热率是硅的3.3倍，为49w/cm·k。它与硅半导体材料一样，可以制成结型器件、场效应器件、和金属与半导体接触的肖特基二极管。
